PP9583 Insulated gate bipolar transistor IGBT Fuji 2DI30Z-120 30A LS97/2S-Se passt sie nahtlos in bestehende

passt sie nahtlos in bestehende Systeme und ersetzt defekte Einheiten

A high -quality assembly that is ideal for industrial use

Technische Spezifikationen: Ausgestattet mit modernster Technologie

High quality materials: The board consists of durable components that are designed for reliability in demanding environments

Compact dimensions: The slim design of the terminal saves valuable space in your production line

PP9583 Insulated gate bipolar transistor IGBT Fuji 2DI30Z-120 30A LS97/2S-Se passt sie nahtlos in bestehendeDer PP9583 Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) von Fuji, Modell 2DI30Z 120, bietet eine zuverlssige Lsung fr verschiedene industrielle Anwendungen. Dieses benutzte Modul stammt aus der Zerlegung eines Motorreglers und war bis zur Demontage in Betrieb. Mit einer Stromstrke von 30A und einer Spannungsfestigkeit von 1200V ist dieses IGBT ideal fr anspruchsvolle Umgebungen, in denen Leistung und Stabilitt gefragt sind. Hochwertige Verarbeitung: Das